Samsung rozpoczyna masową produkcję pamięci NAND. Będą jeszcze szybsze dyski SSD
Samsung rozpoczął masowa produkcję nowej generacji pamięci 3D V-NAND. Dzięki temu, koreańska firma będzie w stanie stworzyć jeszcze szybsze dyski SSD.
Samsung pochwalił się, że wchodzi w proces masowej produkcji nowej generacji pamięci 3D V-NAND. Dzięki postępowi technologicznemu, udało się stworzyć wydajniejsze o 40% chipy, które osiągać będą mogły zawrotne prędkości, m.in. w dyskach SSD.
Samsung prezentuje 8 TB dyski SSD NVMe
Koreański gigant pochwalił się, że udało upchnąć muu się ponad 90 warstw w strukturze piramidy na chipie. To, w połączeniu z nowym interfejsem Toggle DDR 4.0 pozwoli na osiągnięcie prędkości o 40% lepszych niż w dotychczasowych chipach. Mowa tutaj o 1,4Gbps. Swoje dołożyło także zejście z potrzebnego napięcia, z poziomu 1,8 V do 1,2 V.
Samsung pochwalił się także zmniejszonym (względem pamięci m.in. Microna) czasem dostępu:
Nowe pamięci V-NAND oferują o 30% lepszy wynik jeśli chodzi o opóźnienie zapisu, które teraz wynosi 500 mikrosekund.
Oczywiście zanim odczujemy wzrost wydajności na własne skórze będziemy musieli poczekać na pojawienie się płyt głównych z nową generacją złącza PCI-e.